Харвестер відкритої науки НАН України

Determination of parameters of cadmium telluride films on silicon by the methods of main angle and multiangular ellipsometry

за авторством Odarych, V.A., Sarsembaeva, A.Z., Vuichyk, M.V., Sizov, F.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate

за авторством Odarych, V.A., Sarsembaeva, A.Z., Sizov, F.F., Vuichyk, M.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)

за авторством Gentsar, P.O., Vlasenko, O.I., Vuichyk, M.V., Stronski, O.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)

Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering

за авторством Zayats, M.S., Boiko, V.G., Gentsar, P.O., Vuichyk, M.V., Lytvyn, O.S., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2010)

Morphologic and optical characterization of ZnO:Co thin films grown by PLD

за авторством Vuichyk, M.V., Tsybrii, Z.F., Lavoryk, S.R., Svezhentsova, K.V., Virt, I.S., Chizhov, A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe

за авторством Tsybrii, Z. F., Andreeva, K. V., Apatska, M. V., Bunchuk, S. G., Vuichyk, M. V., Golenkov, O. G., Dmytruk, N. V., Zabudsky, V. V., Lysiuk, I. O., Svezhentsova, K. V., Smolii, M. I., Sizov, F. F.
Опубліковано 2017