Результати пошуку - Zaabat, M.
- Показ 1 - 5 результатів із 5
-
1
Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET за авторством Marki, R., Zaabat, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2020)Отримати повний текст
Стаття -
2
New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET за авторством Merabtine, N., Amourache, S., Saidi, Y., Zaabat, M., Kenzai, Ch.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
3
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components за авторством Belgat, M., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
4
Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs за авторством Khemissi, S., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y., Amourache, S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Отримати повний текст
Стаття -
5
An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances за авторством Merabtine, N., Amourache, S., Bouaouina, M., Zaabat, M., Saidi, Y., Kenzai, C.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття