Харвестер відкритої науки НАН України

Two-dimensional modeling the static parameters for a submicron field-effect transistor

за авторством Zaabat, M., Draid, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET

за авторством Merabtine, N., Amourache, S., Saidi, Y., Zaabat, M., Kenzai, Ch.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Accurate numerical modelling the GaAs MESFET current-voltage characteristics

за авторством Merabtine, N., Khemissi, S., Zaabat, M., Belgat, M., Kenzai, C.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components

за авторством Belgat, M., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs

за авторством Khemissi, S., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y., Amourache, S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances

за авторством Merabtine, N., Amourache, S., Bouaouina, M., Zaabat, M., Saidi, Y., Kenzai, C.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)