Харвестер відкритої науки НАН України

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

за авторством Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.
Опубліковано 2010

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE

за авторством Krukovsky, S.I., Zayachuk, D.M., Rybak, O.V., Mryhin, I.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Magnetic-ordered and superconducting units inside surface layers of PbTe:Eu crystals grown from melt by using the Bridgman method

за авторством Zayachuk, D.M., Ilyina, O.S., Kaczorowski, D., Mikityuk, V.I., Shlemkevych, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)