The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions

• Видавець: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
• Дата: 2014
• Автори: Kyrylenko, V. K., Marjan, V. M., Durkot, M. O., Rubish, V. M.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2014
• Теми: аморфні плівки; фазові переходи; елементи пам’яті; аморфные пленки; фазовые переходы; элементы памяти; amorphous films; phase transition; memory elements
• Онлайн доступ: http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/100252

A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (0) of films in the region of temperatures 300-560 K. The temperature dependences of R and 0 amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is s...