The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions
A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (0) of films in the region of temperatures 300-560 K. The temperature dependences of R and 0 amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is s...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/100252 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Data Recording, Storage & Processing |