The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions

The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions

A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (0) of films in the region of temperatures 300-560 K. The temperature dependences of R and 0 amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is s...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Kyrylenko, V. K., Marjan, V. M., Durkot, M. O., Rubish, V. M.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2014
Теми:
amorphous films
phase transition
memory elements
Онлайн доступ:http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/100252
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Data Recording, Storage & Processing

Репозитарії

Data Recording, Storage & Processing
id drspiprikievua-article-100252
record_format ojs
spelling drspiprikievua-article-1002522020-12-23T13:30:26Z The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions Исследование аморфных халькогенидных материалов элементов памяти на основе фазовых переходов Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів Kyrylenko, V. K. Marjan, V. M. Durkot, M. O. Rubish, V. M. аморфні плівки фазові переходи елементи пам’яті аморфные пленки фазовые переходы элементы памяти amorphous films phase transition memory elements A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (0) of films in the region of temperatures 300-560 K. The temperature dependences of R and 0 amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is shown that their crystallization is accompanied by a sharp decrease of these parameters. The temperature range of film transition from amorphous to a crystalline state depends on the film composition, material for contacts and heat treatment conditions. Fig.: 7. Refs: 18 titles. Разработан стенд, позволяющий одновременно измерять температурные зависимости электрического сопротивления (R) и оптического пропускания (0) пленок в области температур 300¬560 К. Исследованы температурные зависимости R и 0 аморфных пленок системы сурьма-селен. Показано, что их кристаллизация сопровождается резким уменьшением этих параметров. Температурный интервал перехода пленок из аморфного состояния в кристаллическое зависит от состава пленок, материала контактов и условий термообработки. Пл.: 7. Библиогр.: 18 найм. Розроблено стенд, який дозволяє одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (в) плівок у ділянці температур 300-560 К. Досліджено температурні залежності R та в аморфних плівок системи сурма-селен. Показано, що їхня кристалізація супроводжується різким зменшенням цих параметрів. Температурний інтервал переходу плівок з аморфного стану в кристалічний залежить від складу плівок, матеріалу контактів та умов термообробки. Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2014-06-15 Article Article application/pdf http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/100252 10.35681/1560-9189.2014.16.2.100252 Data Recording, Storage & Processing; Vol. 16 No. 2 (2014); 7-13 Регистрация, хранение и обработка данных; Том 16 № 2 (2014); 7-13 Реєстрація, зберігання і обробка даних; Том 16 № 2 (2014); 7-13 1560-9189 uk http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/100252/95400 Авторське право (c) 2014 Реєстрація, зберігання і обробка даних
institution Data Recording, Storage & Processing
baseUrl_str
datestamp_date 2020-12-23T13:30:26Z
collection OJS
language Ukrainian
topic amorphous films
phase transition
memory elements
spellingShingle amorphous films
phase transition
memory elements
Kyrylenko, V. K.
Marjan, V. M.
Durkot, M. O.
Rubish, V. M.
The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions
topic_facet аморфні плівки
фазові переходи
елементи пам’яті
аморфные пленки
фазовые переходы
элементы памяти
amorphous films
phase transition
memory elements
format Article
author Kyrylenko, V. K.
Marjan, V. M.
Durkot, M. O.
Rubish, V. M.
author_facet Kyrylenko, V. K.
Marjan, V. M.
Durkot, M. O.
Rubish, V. M.
author_sort Kyrylenko, V. K.
title The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions
title_short The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions
title_full The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions
title_fullStr The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions
title_full_unstemmed The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions
title_sort study of amorphous chalcogenide materials of memory elements based on phase transitions
title_alt Исследование аморфных халькогенидных материалов элементов памяти на основе фазовых переходов
Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів
description A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (0) of films in the region of temperatures 300-560 K. The temperature dependences of R and 0 amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is shown that their crystallization is accompanied by a sharp decrease of these parameters. The temperature range of film transition from amorphous to a crystalline state depends on the film composition, material for contacts and heat treatment conditions. Fig.: 7. Refs: 18 titles.
publisher Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
publishDate 2014
url http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/100252
work_keys_str_mv AT kyrylenkovk thestudyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions
AT marjanvm thestudyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions
AT durkotmo thestudyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions
AT rubishvm thestudyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions
AT kyrylenkovk issledovanieamorfnyhhalʹkogenidnyhmaterialovélementovpamâtinaosnovefazovyhperehodov
AT marjanvm issledovanieamorfnyhhalʹkogenidnyhmaterialovélementovpamâtinaosnovefazovyhperehodov
AT durkotmo issledovanieamorfnyhhalʹkogenidnyhmaterialovélementovpamâtinaosnovefazovyhperehodov
AT rubishvm issledovanieamorfnyhhalʹkogenidnyhmaterialovélementovpamâtinaosnovefazovyhperehodov
AT kyrylenkovk doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív
AT marjanvm doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív
AT durkotmo doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív
AT rubishvm doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív
AT kyrylenkovk studyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions
AT marjanvm studyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions
AT durkotmo studyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions
AT rubishvm studyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions
first_indexed 2025-07-17T10:54:43Z
last_indexed 2025-07-17T10:54:43Z
_version_ 1850410639328018432

Схожі ресурси