Buchumschlag

The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions

A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (0) of films in the region of temperatures 300-560 K. The temperature dependences of R and 0 amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is s...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Kyrylenko, V. K., Marjan, V. M., Durkot, M. O., Rubish, V. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2014
Schlagworte:	amorphous films phase transition memory elements
Online Zugang:	http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/100252
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Назва журналу:	Data Recording, Storage & Processing

Institution

Data Recording, Storage & Processing

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