Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se

Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se

The results of experimental studies on recording of microrelief structures using a focused laser radiation with a wavelength of 405 nm to photoresist films of inorganic system Ge-Se have been presented. It is shown that the microrelief structures having depth of 100 nm can be obtained on the inorgan...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Indutny, I. Z., Kryuchyn, A. A., Borodin, Yu. A., Danko, V. A., Lukanyuk, M. V., Minko, V. I., Shepelyavyi, P. E., Gera, E. V., Rubish, V. M.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2013
Теми:
inorganic photo-resist
optical recording
micro-relief structure
Онлайн доступ:http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/103416
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Data Recording, Storage & Processing

Репозитарії

Data Recording, Storage & Processing
id drspiprikievua-article-103416
record_format ojs
spelling drspiprikievua-article-1034162020-12-28T16:35:45Z Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se Оптичний запис мікро- та нанорозмірних рельєфних структур на неорганічних резистах Ge-Se Indutny, I. Z. Kryuchyn, A. A. Borodin, Yu. A. Danko, V. A. Lukanyuk, M. V. Minko, V. I. Shepelyavyi, P. E. Gera, E. V. Rubish, V. M. неорганічний фоторезист оптичний запис мікрорельєфні структури неорганический фоторезист оптическая запись микрорелъефные структуры inorganic photo-resist optical recording micro-relief structure The results of experimental studies on recording of microrelief structures using a focused laser radiation with a wavelength of 405 nm to photoresist films of inorganic system Ge-Se have been presented. It is shown that the microrelief structures having depth of 100 nm can be obtained on the inorganic photoresists of GeSe3. Increase of the germanium content (when studied composition GeSe2) did not allow getting the microrelief structures with depth required for the manufacture of master disks used in the manufacturing of DVD and BD disks. The films with a high content of Se (GeSe8) are characterized by the presence of crystalline inclusions, and can not be applied for the microrelief structures for recording information on disks-originals. Tabl.: 2. Fig.: 4. Refs: 19 titles. Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорелъефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge-Se. Показано, что микрорелъефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фоторезистах состава GeSe3. Увеличение содержания германия (исследовался состав GeSe2) не позволяет получать микрорелъефные структуры с глубиной рельефа, необходимой для изготовления дисков-оригиналов, используемых в производстве DVD и BD компакт-дисков. Пленки с высоким со-держанием Se (GeSe8) характеризуются наличием кристаллических включений и не могут быть использованы для получения микрорелъефных структур при записи информации на диски-оригиналы. Представлено результати експериментальних досліджень по запису мікрорельєфних структур сфокусованим лазерним випромінюванням з довжиною хвилі 405 нм на плівках неорганічних фоторезистів системи Ge-Se. Показано, що мікрорельєфні структури глибиною 100 нм можуть бути отримані на неорганічних фоторезистах складу GeSe3. Збільшення вмісту германію (досліджувався склад GeSe2) не дозволяє отримувати мікрорельєфні структури з глибиною рельєфу, необхідною для виготовлення дисків-оригіналів, які використовуються у виробництві DVD і BD компакт-дисків. Плівки з високим вмістом Se (GeSe8) характеризуються наявністю кристалічних включень і не можуть бути використані для отримання мікрорельєфних структур при запису інформації на диски-оригінали. Табл.: 2. Іл.: 4. Бібліогр.: 19 найм. Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2013-12-08 Article Article application/pdf http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/103416 10.35681/1560-9189.2013.15.4.103416 Data Recording, Storage & Processing; Vol. 15 No. 4 (2013); 3–12 Регистрация, хранение и обработка данных; Том 15 № 4 (2013); 3–12 Реєстрація, зберігання і обробка даних; Том 15 № 4 (2013); 3–12 1560-9189 ru http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/103416/98552 Авторське право (c) 2013 Реєстрація, зберігання і обробка даних
institution Data Recording, Storage & Processing
baseUrl_str
datestamp_date 2020-12-28T16:35:45Z
collection OJS
language Russian
topic inorganic photo-resist
optical recording
micro-relief structure
spellingShingle inorganic photo-resist
optical recording
micro-relief structure
Indutny, I. Z.
Kryuchyn, A. A.
Borodin, Yu. A.
Danko, V. A.
Lukanyuk, M. V.
Minko, V. I.
Shepelyavyi, P. E.
Gera, E. V.
Rubish, V. M.
Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
topic_facet неорганічний фоторезист
оптичний запис
мікрорельєфні структури
неорганический фоторезист
оптическая запись
микрорелъефные структуры
inorganic photo-resist
optical recording
micro-relief structure
format Article
author Indutny, I. Z.
Kryuchyn, A. A.
Borodin, Yu. A.
Danko, V. A.
Lukanyuk, M. V.
Minko, V. I.
Shepelyavyi, P. E.
Gera, E. V.
Rubish, V. M.
author_facet Indutny, I. Z.
Kryuchyn, A. A.
Borodin, Yu. A.
Danko, V. A.
Lukanyuk, M. V.
Minko, V. I.
Shepelyavyi, P. E.
Gera, E. V.
Rubish, V. M.
author_sort Indutny, I. Z.
title Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
title_short Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
title_full Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
title_fullStr Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
title_full_unstemmed Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
title_sort optical recording of micro- and nano- relief structures on inorganic resists ge-se
title_alt Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se
Оптичний запис мікро- та нанорозмірних рельєфних структур на неорганічних резистах Ge-Se
description The results of experimental studies on recording of microrelief structures using a focused laser radiation with a wavelength of 405 nm to photoresist films of inorganic system Ge-Se have been presented. It is shown that the microrelief structures having depth of 100 nm can be obtained on the inorganic photoresists of GeSe3. Increase of the germanium content (when studied composition GeSe2) did not allow getting the microrelief structures with depth required for the manufacture of master disks used in the manufacturing of DVD and BD disks. The films with a high content of Se (GeSe8) are characterized by the presence of crystalline inclusions, and can not be applied for the microrelief structures for recording information on disks-originals. Tabl.: 2. Fig.: 4. Refs: 19 titles.
publisher Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
publishDate 2013
url http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/103416
work_keys_str_mv AT indutnyiz opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT kryuchynaa opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT borodinyua opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT dankova opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT lukanyukmv opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT minkovi opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT shepelyavyipe opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT geraev opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT rubishvm opticalrecordingofmicroandnanoreliefstructuresoninorganicresistsgese
AT indutnyiz optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT kryuchynaa optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT borodinyua optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT dankova optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT lukanyukmv optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT minkovi optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT shepelyavyipe optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT geraev optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT rubishvm optičeskaâzapisʹmikroinanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnaneorganičeskihrezistahgese
AT indutnyiz optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
AT kryuchynaa optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
AT borodinyua optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
AT dankova optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
AT lukanyukmv optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
AT minkovi optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
AT shepelyavyipe optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
AT geraev optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
AT rubishvm optičnijzapismíkrotananorozmírnihrelʹêfnihstrukturnaneorganíčnihrezistahgese
first_indexed 2025-07-17T10:55:53Z
last_indexed 2025-07-17T10:55:53Z
_version_ 1850410971894382592

Схожі ресурси