A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides

• Дата: 2018
• Автори: Sukhovii, N. O., Lyahova, N. N., Masol, I. V., Osinkiy, V. I.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2018
• Теми: III-nitrides; template; textured sapphire; MOCVD; density of dislocations; lowdeficiency; photodiode; ІІІ-нітриди; темплет; текстурований сапфір; щільність дислокацій; малодефектність; фотодіод
• Онлайн доступ: http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/158511
• Назва журналу: Data Recording, Storage & Processing

It is considered some applications of nano-textured sapphire templates with MOCVD- III-nitride hetero-structure, namely its suitability for use in UV photodiodes and for energy storage layers, as ideally suited through its high thermal, chemical and radiation resistance due to the strong bond betwee...