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A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides

It is considered some applications of nano-textured sapphire templates with MOCVD- III-nitride hetero-structure, namely its suitability for use in UV photodiodes and for energy storage layers, as ideally suited through its high thermal, chemical and radiation resistance due to the strong bond betwee...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Sukhovii, N. O., Lyahova, N. N., Masol, I. V., Osinkiy, V. I.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2018
Schlagworte:	III-nitrides template textured sapphire MOCVD density of dislocations lowdeficiency photodiode
Online Zugang:	http://drsp.ipri.kiev.ua/article/view/158511
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Назва журналу:	Data Recording, Storage & Processing

Institution

Data Recording, Storage & Processing

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