Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии
Ранее было выдвинуто предположение, что локализованные дефекты при определенных условиях могут не влиять на эллипсометрические данные. Целью работы является проверка этой гипотезы путем проведения систематических исследований влияния дефектов в форме параллелепипедов различных размеров на эллипсомет...
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2014
|
Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106053 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии / А.И. Беляева, A.A. Галуза, В.К. Киселев, И.В. Коленов, А.А. Савченко, Е.М. Кулешов, С.Ю. Серебрянский // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 1. — С. 66-73. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-106053 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1060532016-09-23T23:12:32Z Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии Беляева, А.И. Галуза, A.A. Киселев, В.К. Коленов, И.В. Савченко, А.А. Кулешов, Е.М. Серебрянский, С.Ю. Микроволновая и терагерцевая техника Ранее было выдвинуто предположение, что локализованные дефекты при определенных условиях могут не влиять на эллипсометрические данные. Целью работы является проверка этой гипотезы путем проведения систематических исследований влияния дефектов в форме параллелепипедов различных размеров на эллипсометрические данные. C помощью созданного терагерцевого эллипсометра, работающего на длине волны λ = 2,2 мм (0,14 ТГц), проведено масштабное моделирование влияния дефектов, характерных для поверхности, подвергнутой радиационному распылению, на результаты эллипсометрического эксперимента в оптическом диапазоне. Такая большая рабочая длина волны позволяет формировать на поверхности дефекты заданной формы и размеров и исследовать их влияние на эллипсометрические параметры. Приведено описание эллипсометра, а также результаты систематических исследований влияния различных дефектов на поверхности материала с сильным поглощением на данные эллипсометрии. Впервые экспериментально доказано, что локализованные дефекты, сравнимые по размеру с длиной волны, могут быть «невидимыми» для эллипсометрической методики. Раніше було висунуто припущення, що локалізовані дефекти за певних умов можуть не впливати на еліпсометричні дані. Метою роботи є перевірка цієї гіпотези систематичними дослідженнями впливу дефектів у формі паралелепіпедів різних розмірів на еліпсометричні дані. За допомогою побудованого терагерцового еліпсометра, що працює на довжині хвилі λ = 2,2 мм (0,14 ТГц), проведено масштабне моделювання впливу дефектів, характерних для поверхні, що зазнала впливу радіаційного розпорошення, на результати еліпсометричного експерименту в оптичному діапазоні. Настільки велика робоча довжина хвилі дозволяє формувати на поверхні дефекти заданої форми й розмірів і дослідити їх вплив на еліпсометричні параметри. Наведено опис еліпсометра, а також результати систематичних досліджень впливу різних дефектів на поверхні матеріалу з сильним поглинанням на дані еліпсометрії. Уперше експериментально доведено, що локалізовані дефекти, порівняні за розміром з довжиною хвилі, можуть бути «невидимими» для еліпсометричної методики. Previously, it has been suggested that localized defects under certain conditions may not affect the ellipsometric data. The purpose of this work is to test this hypothesis by conducting systematic studies of the influence of defects in the form of parallelepipeds of various sizes on the ellipsometric data. Scale modeling of influence of defects typical for surface subjected to radiation sputtering on ellipsometric experiment results in the optical range has been performed using developed terahertz ellipsometer that operates at wavelength λ = 2.2 mm (0.14 THz). Such a large operating wavelength allowed to form on the surface defects of a given shape and size and to investigate their impact on the ellipsometric parameters. A description of the ellipsometer, and the results of systematic studies of the influence of various defects on the surface of the material with strong absorption data ellipsometry are presented. It is first experimentally proved that localized defects of comparable size to the wavelength can be "invisible" for ellipsometry. 2014 Article Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии / А.И. Беляева, A.A. Галуза, В.К. Киселев, И.В. Коленов, А.А. Савченко, Е.М. Кулешов, С.Ю. Серебрянский // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 1. — С. 66-73. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106053 681.785.35:621.378.029.65 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Микроволновая и терагерцевая техника Микроволновая и терагерцевая техника |
spellingShingle |
Микроволновая и терагерцевая техника Микроволновая и терагерцевая техника Беляева, А.И. Галуза, A.A. Киселев, В.К. Коленов, И.В. Савченко, А.А. Кулешов, Е.М. Серебрянский, С.Ю. Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии Радіофізика та електроніка |
description |
Ранее было выдвинуто предположение, что локализованные дефекты при определенных условиях могут не влиять на эллипсометрические данные. Целью работы является проверка этой гипотезы путем проведения систематических исследований влияния дефектов в форме параллелепипедов различных размеров на эллипсометрические данные. C помощью созданного терагерцевого эллипсометра, работающего на длине волны λ = 2,2 мм (0,14 ТГц), проведено масштабное моделирование влияния дефектов, характерных для поверхности, подвергнутой радиационному распылению, на результаты эллипсометрического эксперимента в оптическом диапазоне. Такая большая рабочая длина волны позволяет формировать на поверхности дефекты заданной формы и размеров и исследовать их влияние на эллипсометрические параметры. Приведено описание эллипсометра, а также результаты систематических исследований влияния различных дефектов на поверхности материала с сильным поглощением на данные эллипсометрии. Впервые экспериментально доказано, что локализованные дефекты, сравнимые по размеру с длиной волны, могут быть «невидимыми» для эллипсометрической методики. |
format |
Article |
author |
Беляева, А.И. Галуза, A.A. Киселев, В.К. Коленов, И.В. Савченко, А.А. Кулешов, Е.М. Серебрянский, С.Ю. |
author_facet |
Беляева, А.И. Галуза, A.A. Киселев, В.К. Коленов, И.В. Савченко, А.А. Кулешов, Е.М. Серебрянский, С.Ю. |
author_sort |
Беляева, А.И. |
title |
Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии |
title_short |
Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии |
title_full |
Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии |
title_fullStr |
Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии |
title_full_unstemmed |
Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии |
title_sort |
квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии |
publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
publishDate |
2014 |
topic_facet |
Микроволновая и терагерцевая техника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106053 |
citation_txt |
Квазиоптическое масштабное моделирование влияния локализованных дефектов поверхности металлов на данные оптической эллипсометрии / А.И. Беляева, A.A. Галуза, В.К. Киселев, И.В. Коленов, А.А. Савченко, Е.М. Кулешов, С.Ю. Серебрянский // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 1. — С. 66-73. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
series |
Радіофізика та електроніка |
work_keys_str_mv |
AT belâevaai kvazioptičeskoemasštabnoemodelirovanievliâniâlokalizovannyhdefektovpoverhnostimetallovnadannyeoptičeskojéllipsometrii AT galuzaaa kvazioptičeskoemasštabnoemodelirovanievliâniâlokalizovannyhdefektovpoverhnostimetallovnadannyeoptičeskojéllipsometrii AT kiselevvk kvazioptičeskoemasštabnoemodelirovanievliâniâlokalizovannyhdefektovpoverhnostimetallovnadannyeoptičeskojéllipsometrii AT kolenoviv kvazioptičeskoemasštabnoemodelirovanievliâniâlokalizovannyhdefektovpoverhnostimetallovnadannyeoptičeskojéllipsometrii AT savčenkoaa kvazioptičeskoemasštabnoemodelirovanievliâniâlokalizovannyhdefektovpoverhnostimetallovnadannyeoptičeskojéllipsometrii AT kulešovem kvazioptičeskoemasštabnoemodelirovanievliâniâlokalizovannyhdefektovpoverhnostimetallovnadannyeoptičeskojéllipsometrii AT serebrânskijsû kvazioptičeskoemasštabnoemodelirovanievliâniâlokalizovannyhdefektovpoverhnostimetallovnadannyeoptičeskojéllipsometrii |
first_indexed |
2023-10-18T20:12:03Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:12:03Z |
_version_ |
1796149237934718976 |