Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте,...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108496 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |