Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках

Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте,...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Видавець:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:	2014
Автори:	Гулямов, Г., Дадамирзаев, М.Г.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108496
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:	Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-108496
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1084962016-11-06T03:02:29Z Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов. Показано вплив амплітуди і частоти деформації на площі фазових траєкторій у двовимірному (ne-ε) просторі. Розміри фазових траєкторій сильно залежать від амплітуди і частоти деформації прикладеної до зразка. При зменшенні амплітуди деформації розміри фазових траєкторій зменшуються як за висотою, так і за шириною. Внаслідок цього змінюються концентрації електронів. При збільшенні частоти деформації зменшується фазова траєкторія. Внаслідок цього зменшується змінювання концентрації електронів. Shows the influence of the amplitude and frequency of the strain on the area of the phase trajectories in the two-dimensional (ne-ε) space. The dimensions of the phase trajectory is strongly dependent on the amplitude and frequency of the strain applied to the sample. With decreasing strain amplitude dimensions of the phase trajectories is reduced both in height and width. Due to the change of the electron concentration. By increasing the frequency of deformation decreases the phase trajectory. Because of this change in the electron density decreases. 2014 Article Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108496 621.362.1 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов.
format	Article
author	Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г.
spellingShingle	Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках Физическая инженерия поверхности
author_facet	Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г.
author_sort	Гулямов, Г.
title	Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_short	Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_full	Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_fullStr	Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_full_unstemmed	Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_sort	зависимости изменения концентрации избыточных электронов (δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2014
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108496
citation_txt	Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT gulâmovg zavisimostiizmeneniâkoncentraciiizbytočnyhélektronovdnotperemennojdeformaciievpoluprovodnikah AT dadamirzaevmg zavisimostiizmeneniâkoncentraciiizbytočnyhélektronovdnotperemennojdeformaciievpoluprovodnikah
first_indexed	2023-10-18T20:17:44Z
last_indexed	2023-10-18T20:17:44Z
_version_	1796149482668163072

Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках

Репозиторії

Схожі ресурси