Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте,...
Збережено в:
Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
---|---|
Дата: | 2014 |
Автори: | Гулямов, Г., Дадамирзаев, М.Г. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108496 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Фазовые портреты деформационных эффектов в полупроводниках в импульсном режиме
за авторством: Дадамирзаев, М.Г., та інші
Опубліковано: (2012) -
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004) -
Разогрев электронов и дырок в несимметричном p-n-переходе, находящемся в СВЧ поле
за авторством: Дадамирзаев, М.Г.
Опубліковано: (2013) -
Экситонная люминесценция при дрейфе избыточных электронов через жидкие и твердые инертные газы
за авторством: Гордон, Е.Б., та інші
Опубліковано: (2001) -
Теория избыточных измерений
за авторством: Кондратов, В.Т.
Опубліковано: (2006)