Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source
The condition of the deposition of refractory metal and alloy films such as W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, Fe₈₀B₂₀ with using ECR plasma source at the different magnitudes of bias voltage on targets and substrates were investigated. It was revealed that the maximal rate of the films growth amounted to 0,052...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Schriftenreihe: | Вопросы атомной науки и техники |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110576 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source/ V.D. Fedorchenko, V.V. Chebotarev, A.V. Medvedev, V.I. Tereshin // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 1. — С. 164-166. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |