Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления

Вычислены режимы напыления бинарных соединений магнетроном и переходы его равновесной зависимости из области неустойчивости к абсолютной устойчивости. Область перехода зависит от скорости откачки камеры магнетрона, соотношения площадей анода и катода [1,2], а также от величины диффузионного перемеши...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Евсюков, А.Н., Завьялов, Ю.Г., Стеценко, Б.В., Щуренко, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики НАН України 2008
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110741
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления / А.Н. Евсюков, Ю.Г. Завьялов, Б.В. Стеценко, А.И. Щуренко // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 68-71. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine