2025-02-22T15:59:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-114674%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T15:59:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-114674%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T15:59:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T15:59:21-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties

Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties

By using the method of VPE CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe heterocompositions were fabricated. Increase of their photo-sensitivity in comparison with the CdTe-CdHgTe structure is explained by removal of deformation stresses due to introduction of isovalent component (Mn, Zn) of smaller size and due...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Vlasenko, O.I., Babentsov, V.M., Vlasenko, Z.K., Ponedilok, A.V., Kurilo, I.V., Rudyj, I.O., Kremenitskiy, V.V.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Series:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114674
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-114674
record_format dspace
spelling irk-123456789-1146742017-03-12T03:02:27Z Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties Vlasenko, O.I. Babentsov, V.M. Vlasenko, Z.K. Ponedilok, A.V. Kurilo, I.V. Rudyj, I.O. Kremenitskiy, V.V. By using the method of VPE CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe heterocompositions were fabricated. Increase of their photo-sensitivity in comparison with the CdTe-CdHgTe structure is explained by removal of deformation stresses due to introduction of isovalent component (Mn, Zn) of smaller size and due to reduction of recombination activity of non-equilibrium charge carriers in the film. Photo-sensitivity increase in the field of metallurgical boundary in the CdMnTe-CdMnHgTe structure under increase of the Mn contents up to у Ј 0,08 in comparison to the CdZnTe-CdZnHgTe structure is connected with more precise matching of lattices matching of the initial materials. Other models of this phenomena are also discussed, conditioned in particular, by the influence of micro- and macro- heterogeneities of the diffusion interface, peculiarities of P-T diagrams, etc. On the basis of comparison of experimental and calculated profiles of the components distribution, the values of diffusion coefficient in the substrate and growing film were obtained. Методом ПФЕ одержані гетерокомпозиції CdMnTe-CdMnHgTe (КМТ-КМРТ), CdZnTe-CdZnHgTe (КЦТ-КЦРТ). Підвищення їх фоточутливості порівняно із структурою CdTe-CdHgTe (КТ-КРТ) пояснюється зняттям деформаційних напруг завдяки введенню ізовалентної складової (Mn, Zn) меншого розміру і зниженням рекомбінаційної активності нерівноважних носіїв заряду в плівці. Збільшення фоточутливості в області металургійної границі в структурі КМТ-КМРТ при збільшенні вмісту Mn до y Ј 0,08 порівняно із структурою КЦТ-КЦРТ пов.язується з більш прецизійним узгодженням параметрів кристалічних граток вихідних матеріалів. Обговорюються і інші моделі цих явищ, пов.язані, зокрема з впливом мікро- і макро неоднорідностей дифузійної границі, особливостями Р-Т-х діаграм і інш. На основі співставлення експериментальних і розрахункових профілів розподілу компонент отримані значення для їх коефіцієнтів дифузії в підкладці і наростаючій плівці. Методом ПФЭ получены гетерокомпозиции CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe. Повышение их фоточувствительности по сравнению со структурой CdMnTe-CdTe-CdHgTe объясняется снятием деформационных напряжений благодаря введению изовалентной составляющей (Mn, Zn) меньшего размера и снижением рекомбинационной активности неравновесных носителей заряда в пленке. Увеличение фоточувствительности в области металлургической границы в структуре CdMnTe-CdMnHgTe при увеличении содержания Mn до у Ј 0,08 по сравнению со структурой CdZnTe-CdZnHgTe связывается с более прецизионным согласованием параметров кристаллических решеток исходных материалов. Обсуждаются и другие модели этих явлений, обусловленные, в частности, влиянием микро- и макро неоднородностей диффузионной границы, особенностями Р-Т-х диаграмм и др. На основе сопоставления экспериментальных и расчетных профилей распределения компонент получены значения коэффициентов диффузии в подложке и нарастающей пленке. 1998 Article Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties / O.I. Vlasenko, V.M. Babent1sov, Z.K. Vlasenko, A.V. Ponedilok, I.V. Kurilo, I.O. Rudyj, V.V. Kremenitskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 68.55; 79.60.J; 73.50. P; 66.30.J http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114674 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description By using the method of VPE CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe heterocompositions were fabricated. Increase of their photo-sensitivity in comparison with the CdTe-CdHgTe structure is explained by removal of deformation stresses due to introduction of isovalent component (Mn, Zn) of smaller size and due to reduction of recombination activity of non-equilibrium charge carriers in the film. Photo-sensitivity increase in the field of metallurgical boundary in the CdMnTe-CdMnHgTe structure under increase of the Mn contents up to у Ј 0,08 in comparison to the CdZnTe-CdZnHgTe structure is connected with more precise matching of lattices matching of the initial materials. Other models of this phenomena are also discussed, conditioned in particular, by the influence of micro- and macro- heterogeneities of the diffusion interface, peculiarities of P-T diagrams, etc. On the basis of comparison of experimental and calculated profiles of the components distribution, the values of diffusion coefficient in the substrate and growing film were obtained.
format Article
author Vlasenko, O.I.
Babentsov, V.M.
Vlasenko, Z.K.
Ponedilok, A.V.
Kurilo, I.V.
Rudyj, I.O.
Kremenitskiy, V.V.
spellingShingle Vlasenko, O.I.
Babentsov, V.M.
Vlasenko, Z.K.
Ponedilok, A.V.
Kurilo, I.V.
Rudyj, I.O.
Kremenitskiy, V.V.
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
author_facet Vlasenko, O.I.
Babentsov, V.M.
Vlasenko, Z.K.
Ponedilok, A.V.
Kurilo, I.V.
Rudyj, I.O.
Kremenitskiy, V.V.
author_sort Vlasenko, O.I.
title Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_short Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_full Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_fullStr Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_full_unstemmed Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_sort distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures cd(mn, zn)te – cd(mn, zn)hgte and their photoelectrical properties
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 1998
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114674
citation_txt Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties / O.I. Vlasenko, V.M. Babent1sov, Z.K. Vlasenko, A.V. Ponedilok, I.V. Kurilo, I.O. Rudyj, V.V. Kremenitskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.
series Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
work_keys_str_mv AT vlasenkooi distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT babentsovvm distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT vlasenkozk distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT ponedilokav distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT kuriloiv distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT rudyjio distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT kremenitskiyvv distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
first_indexed 2023-10-18T20:25:06Z
last_indexed 2023-10-18T20:25:06Z
_version_ 1796150101610070016

Similar Items