Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films

• Дата: 1998
• Автори: Oleksenko, P.Ph., Sukach, G.A., Smertenko, P.S., Vlaskina, S.I., Bogoslovskaya, A.B., Spichak, I.O., Shin, D.H.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114679
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films / P.Ph. Oleksenko, G.A. Sukach, P.S. Smertenko, S.I. Vlaskina, A.B. Bogoslovskaya, I.O. Spichak, D.H. Shin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 112-115. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Forward and reverse current-voltage (I-V) characteristics of light emitting diodes based on GaN epitaxial films were investigated by differential spectroscopy. This technique is based on calculating the differential slope of the I-V curve in the log-log scale in the following form: α = d lg i/d lg V...