Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
Forward and reverse current-voltage (I-V) characteristics of light emitting diodes based on GaN epitaxial films were investigated by differential spectroscopy. This technique is based on calculating the differential slope of the I-V curve in the log-log scale in the following form: α = d lg i/d lg V...
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114679 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films / P.Ph. Oleksenko, G.A. Sukach, P.S. Smertenko, S.I. Vlaskina, A.B. Bogoslovskaya, I.O. Spichak, D.H. Shin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 112-115. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |