Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established with using of different combinations of etchants for the accele...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2016
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115345 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-115345 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1153452017-04-04T03:02:25Z Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established with using of different combinations of etchants for the accelerated creation of surface-barrier structures with stable parameters, the slow regimes of etching were developed for making the detectors of plane-parallel geometry. On the basis of experimental studies concerning the improvement of the formation processes of qualitative surface-barrier structures, the fabrication technique of the silicon spectrometric detectors was optimized; the prototypes were manufactured and their characteristics were identified. Выявлены особенности влияния поверхностных электронных процессов на формирование кремниевых поверхностно-барьерных детекторных структур; установлены режимы химических обработок поверхности Si-кристаллов с использованием различных составов травителей для ускоренного создания поверхностно- барьерных структур со стабильными параметрами; разработаны медленные режимы травления для изготовления детекторов плоскопараллельной геометрии. На основе проведенных экспериментальных исследований по совершенствованию процессов формирования качественных поверхностно-барьерных структур оптимизирована технология изготовления кремниевых спектрометрических детекторов, изготовлены опытные образцы и определены их характеристики. Виявлено особливості впливу поверхневих електронних процесів на формування кремнієвих поверхнево- бар’єрних детекторних структур; встановлено режими хімічних обробок поверхні Si-кристалів з використанням різних складів травників для прискореного створення поверхнево-бар’єрних структур зі стабільними параметрами; розроблено повільні режими травлення для виготовлення детекторів плоско- паралельної геометрії. На основі проведених експериментальних досліджень щодо вдосконалення процесів формування якісних поверхнево-бар’єрних структур оптимізовано технологію виготовлення кремнієвих спектрометричних детекторів, виготовлено дослідні зразки та визначено їх характеристики. 2016 Article Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 9.00.00; 29.40.Wk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115345 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors Вопросы атомной науки и техники |
| description |
In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier
detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established
with using of different combinations of etchants for the accelerated creation of surface-barrier structures with stable
parameters, the slow regimes of etching were developed for making the detectors of plane-parallel geometry. On the
basis of experimental studies concerning the improvement of the formation processes of qualitative surface-barrier
structures, the fabrication technique of the silicon spectrometric detectors was optimized; the prototypes were
manufactured and their characteristics were identified. |
| format |
Article |
| author |
Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. |
| author_facet |
Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. |
| author_sort |
Gaidar, G.P. |
| title |
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_short |
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_full |
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_fullStr |
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_full_unstemmed |
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_sort |
influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2016 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115345 |
| citation_txt |
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT gaidargp influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT berdnichenkosv influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT vorobyovvg influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT kochkinvi influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT lastovetskiyvf influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT litovchenkopg influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors |
| first_indexed |
2024-03-30T09:31:33Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:31:33Z |
| _version_ |
1796150147073179648 |