Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепт...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2010
Автори: Литовченко, Н.М., Насека, Ю.Н., Прохорович, А.В., Рашковецкий, Л.В., Стрильчук, О.Н., Сизов, Ф.Ф., Войциховская, О.О., Данильченко, Б.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115605
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 54-60. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-115605
record_format dspace
spelling irk-123456789-1156052017-04-08T03:02:47Z Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами Литовченко, Н.М. Насека, Ю.Н. Прохорович, А.В. Рашковецкий, Л.В. Стрильчук, О.Н. Сизов, Ф.Ф. Войциховская, О.О. Данильченко, Б.А. Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепторными парами (hνm = 1,552 эВ), мелкими акцепторами (hνm = 1,578 эВ), а также связанными на мелких нейтральних акцепторах (hνm = 1,585 эВ и hνm = 1,591 эВ) и донорах (hνm = 1,592 эВ и hνm = 1,595 эВ) экситонами вследствиe уменьшения концентрации соответствующих центров люминесценции, из-за их взаимодействия с радиационными дефектами; б) появление новых полос люминесценции, обусловленных, вероятнее всего, радиационно-стимулированными вакансиями кадмия (VCd), связанными с иными дефектами (донорно-акцепторными парами, hνm = 1,550 эВ) и изолированными вакансиями кадмия (hνm = 1,568 эВ). Интенсивность радиационно-стимулированных полос немонотонно изменяется с возрастанием дозы γ-облучения: сначала увеличивается при низких Фγ (из-за повышения концентрации вакансий кадмия), а затем значительно уменьшается при высоких Фγ (из-за генерации значительного количества эффективных центров безизлучательной рекомбинации избыточных носителей тока). The effect of irradiation by different doses of γ-quanta (10—500 kGy) at 300 K on the low-temperature (T = 5 K) photoluminescence of Cd1-xZnxTe crystals (x = = 0,04) has been studied. The following phenomena, stimulated by γ-irradiation, were observed: a) a substantial decrease of inten-sities of initial (as-grown) emission bands with the emission peak positions hνm = 1,552 еV (caused by donor-acceptor pairs), hνm = 1,578 еV (caused by shallow acceptors), hνm = 1,585, 1,591 and hνm = 1,592, 1,595 еV (caused by excitons bound by shallow neutral acceptors and donors, accordingly), which originates from lowering of the concentration of the corresponding luminescence centers due to their interaction with radiation defects; b) an appearance of new luminescence bands caused probably by radiation-induced cadmium vacancies bound with defects (by donor-acceptor pairs, hνm = 1,550 еV) and isolated cadmium vacancies (hνm = 1,568 еV). Intensities of radiation-stimulated emission bands non-monotonically change with the growth of γ-radiation dose: at first it increases at low Фγ (it is caused by an increase in the concentration of radiation-induced cadmium vacancies) and then is noticeably lowered at high Фγ (it is connected with generation of the considerable number of effective radiationless centers of excess charge carriers). 2010 Article Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 54-60. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115605 539.12.17; 621.315.592 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепторными парами (hνm = 1,552 эВ), мелкими акцепторами (hνm = 1,578 эВ), а также связанными на мелких нейтральних акцепторах (hνm = 1,585 эВ и hνm = 1,591 эВ) и донорах (hνm = 1,592 эВ и hνm = 1,595 эВ) экситонами вследствиe уменьшения концентрации соответствующих центров люминесценции, из-за их взаимодействия с радиационными дефектами; б) появление новых полос люминесценции, обусловленных, вероятнее всего, радиационно-стимулированными вакансиями кадмия (VCd), связанными с иными дефектами (донорно-акцепторными парами, hνm = 1,550 эВ) и изолированными вакансиями кадмия (hνm = 1,568 эВ). Интенсивность радиационно-стимулированных полос немонотонно изменяется с возрастанием дозы γ-облучения: сначала увеличивается при низких Фγ (из-за повышения концентрации вакансий кадмия), а затем значительно уменьшается при высоких Фγ (из-за генерации значительного количества эффективных центров безизлучательной рекомбинации избыточных носителей тока).
format Article
author Литовченко, Н.М.
Насека, Ю.Н.
Прохорович, А.В.
Рашковецкий, Л.В.
Стрильчук, О.Н.
Сизов, Ф.Ф.
Войциховская, О.О.
Данильченко, Б.А.
spellingShingle Литовченко, Н.М.
Насека, Ю.Н.
Прохорович, А.В.
Рашковецкий, Л.В.
Стрильчук, О.Н.
Сизов, Ф.Ф.
Войциховская, О.О.
Данильченко, Б.А.
Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Литовченко, Н.М.
Насека, Ю.Н.
Прохорович, А.В.
Рашковецкий, Л.В.
Стрильчук, О.Н.
Сизов, Ф.Ф.
Войциховская, О.О.
Данильченко, Б.А.
author_sort Литовченко, Н.М.
title Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_short Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_full Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_fullStr Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_full_unstemmed Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_sort анализ фотолюминесценции кристаллов p-cd1–xznxte, облученных гамма-квантами
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2010
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115605
citation_txt Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 54-60. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT litovčenkonm analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT nasekaûn analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT prohorovičav analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT raškoveckijlv analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT strilʹčukon analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT sizovff analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT vojcihovskaâoo analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT danilʹčenkoba analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
first_indexed 2024-03-30T09:32:46Z
last_indexed 2024-03-30T09:32:46Z
_version_ 1796150173351542784

Схожі ресурси