Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP

• Дата: 2012
• Автори: Круковський, C.I., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мрихін, І.О., Михащук, Ю.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116717
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP / C.I. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 64-69. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p⁺-InP шару, легованого цинком...