Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p⁺-InP шару, легованого цинком...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116717 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP / C.I. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 64-69. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116717 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167172017-05-15T03:02:44Z Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP Круковський, C.I. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p⁺-InP шару, легованого цинком, призводить до збігу металургійної та електричної гетеромеж, що обумовлю є реалізацію ефекту «широкозонного вікна» на спектрах фоточутливості гетеропереход ів. Проаналізовано еволюцію спектрів електролюмінесценції гетеропереход ів залежно від технологічних режимів їх вирощування і показано можливість їх використання для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з λmax = 1,06 мкм. The effect of technological regimes of growing of double heterojunctions p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP by LPE on their photovoltaic properties is investigated. It is shown that growing of additional buffer layer of n-InP on n-InGaAsP and reducing the growth time of emitter p⁺-InP layer doped with zinc leads to match metallurgical and electrical heterojunctions, which makes the implementation of «wide-window» effect in the photosensitivity spectra of heterojunctions. The evolution of electroluminescence spectra of heterojunctions is analyzed, depending on thechnological regime of growth and possibility of using them to create efficient IR LED with λmax = 1,06 microns is shown. 2012 Article Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP / C.I. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 64-69. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116717 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p⁺-InP шару, легованого цинком, призводить до збігу металургійної та електричної гетеромеж, що обумовлю є реалізацію ефекту «широкозонного вікна» на спектрах фоточутливості гетеропереход ів. Проаналізовано еволюцію спектрів електролюмінесценції гетеропереход ів залежно від технологічних режимів їх вирощування і показано можливість їх використання для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з λmax = 1,06 мкм. |
| format |
Article |
| author |
Круковський, C.I. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. |
| spellingShingle |
Круковський, C.I. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Круковський, C.I. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. |
| author_sort |
Круковський, C.I. |
| title |
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_short |
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_full |
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_fullStr |
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_full_unstemmed |
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_sort |
фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-inp/n-ingaasp/n-inp |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116717 |
| citation_txt |
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP / C.I. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 64-69. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT krukovsʹkijci fotoelektričnívlastivostípodvíjnihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT sukačav fotoelektričnívlastivostípodvíjnihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT tetʹorkínvv fotoelektričnívlastivostípodvíjnihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT mrihínío fotoelektričnívlastivostípodvíjnihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT mihaŝukûs fotoelektričnívlastivostípodvíjnihgeteroperehodívpinpningaaspninp |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| _version_ |
1796150279151812608 |