InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних деф...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116782 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 43-68. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. |