Simple method for SiC nanowires fabrication
In this work, we introduce a simple and convenient approach for growing SiC nanowires (SiCNWs) directly on carbon source from graphite. The commercial SiO powder and the cheap common graphite were used as the source materials. SiCNWs have been synthesized during holding time less than 60-80 min at 1...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117602 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simple method for SiC nanowires fabrication/ V.S. Kiselov, O.S. Lytvyn, V.O. Yukhymchuk, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 7-11. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |