Influence of Cr doping on optical and photoluminescent properties of CdTe
Spectra of transmission and low-temperature photoluminescence of CdTe:Cr crystals have been investigated for concentrations of the doping impurity (Cr) from 1∙10¹⁷ to 4∙10¹⁹ cm⁻³ in the melt. We have found additional absorption bands with maxima at λ₁ = 1.9 μm and λ2 = 7.0 μm induced by the pr...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117807 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Influence of Cr doping on optical and photoluminescent properties of CdTe / М.I. Ilashchuk, O.A. Parfenyuk, K.S. Ulyanytskiy, V.V. Brus, N.D. Vakhnyak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. P. 91-94 — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |