Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
Within the diffusion-limited growth model, the kinetic analysis of the LPE process for CdxHg₁₋xTe solid solutions is carried out. It is assumed that a phase equilibrium exists on the interface, and the concentrations of components are connected by the equations of phase equilibria in the frame...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117889 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers / P.P. Moskvin, V.V. Khodakovsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 29-33. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |