Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection
The series of GaAs and SiO₂ samples with the specially prepared one- and two-dimensional surface reliefs have been investigated by the methods of integral and differential curve total external reflection of X-rays. The direct and inverse problem was solved, taking into consideration data obtained by...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117940 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection / S.V. Balovsyak, I.M. Fodchuk, P.M. Lytvyn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 41-46. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |