High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
Influence of Yb and Al co-doping gallium melt during LPE growth of the GaAs epitaxial layers on their properties is investigated. It is shown that both morphology and electrophysical parameters of the films are changed under influence of the doping impurities applied. Obtained results are explained...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117942 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE / S.I. Krukovsky, D.M. Zayachuk, O.V. Rybak, I.O. Mryhin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 55-57. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |