Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals

Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals

Results of investigations of mercury vacancy diffusion in the narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals are presented. A new theory for mercury diffusion in a gradient of native defect concentration is proposed. The theory takes into account the effect of charged defect drift in the internal electric field ari...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2003
Автори:	Elizarov, A.I., Kurbanov, K.R., Bogoboyashchyy, V.V.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117948
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals / V.V. Bogoboyashchyy, A.I. Elizarov, K.R. Kurbanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 47-52. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Density of heavy hole states of Hg₁-xCdxTe in an isotropic nonparabolic approximation by exact measurements of electron concentration
за авторством: Bogoboyashchyy, V.V.
Опубліковано: (2001)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)

Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)

Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)

Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)

Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)

Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
за авторством: Staryi, S., та інші
Опубліковано: (2023)

Noise spectra and dark current investigations in n⁺-p-type Hg₁₋xCdxTe (x ≈ 0.22) photodiodes
за авторством: Ivasiv, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)

Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)

Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)

Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)

Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)

Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group
за авторством: Vlasov, A.P., та інші
Опубліковано: (2006)

AFM study of micromorphology and microscopic growth mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE epitaxial layers
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Deformation-Induced Interfacial Interaction in Elastically-Plastically Deformed Single Crystals of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)

Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)

Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)

Thermodynamics of native points defects in telluride stanum
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)

Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)

Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)

Technological peculiarities of electoslag narrow-gap welding of titanium
за авторством: I. V. Protokovilov, та інші
Опубліковано: (2013)

Photoplastic Effect in Narrow-Gap Mercury Chalcogenide Crystals
за авторством: Koman, B.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Innovativeness of the economies of the EU and Ukraine: undertakings to narrow the gap
за авторством: L. Fedulova
Опубліковано: (2016)

Narrow-gap TIG welding of thick steel 20
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2023)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013)

Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Quaternary semimagnetic Hg₁₋x₋yCdxMnySe crystals for optoelectronic application
за авторством: Mazur, Yu.I., та інші
Опубліковано: (1999)