Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals

Results of investigations of mercury vacancy diffusion in the narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals are presented. A new theory for mercury diffusion in a gradient of native defect concentration is proposed. The theory takes into account the effect of charged defect drift in the internal electric field ari...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2003
Автори: Elizarov, A.I., Kurbanov, K.R., Bogoboyashchyy, V.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117948
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals / V.V. Bogoboyashchyy, A.I. Elizarov, K.R. Kurbanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 47-52. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine