Characterization of CdTe+Mn crystals depending on doping procedure

• Дата: 2003
• Автори: Nikoniuk, E.S., Zakharuk, Z.I., Rarenko, I.M., Kuchma, M.I., Yurijchuk, I.M.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117986
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Characterization of CdTe+Mn crystals depending on doping procedure / E.S. Nikoniuk, Z.I. Zakharuk, I.M. Rarenko, M.I. Kuchma, I.M. Yurijchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 160-163. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Electrophysical properties of CdTe+Mn crystals grown by three different doping scheme of manganese introduction were studied. It was found that the properties of the CdTe crystals doped with Mn strongly depend on both the initial manganese concentration and the doping procedure. Introduction of Mn i...