Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
Activation energy of high temperature technological thermodonors (TD) has been determined in transmutation-doped n-Si(P) using the data analysis of the Hall-effect temperature dependence. Physical mechanisms of tensoeffects in n-Si(P) crystals doped by neutron irradiation and doped at growth were st...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117987 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon / Yu.P. Dotsenko, V.M. Ermakov, A.E Gorin, V.I. Khivrych, V.V. Kolomoets, V.F. Machulin, L.I. Panasjuk, I.V. Prokopenko, B.B. Sus', E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 111-114. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |