Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures

Luminescence spectra of blue and green LEDs based on InxGa₁₋xN/AlyGa₁₋yN/GaN heterostructures with many quantum wells in the current range 0.1 to 10 mA have been studied besides the main electroluminescence band. In the emission spectra of blue LEDs, the energy maximum position is shifted with chang...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2003
Автори: Bletskan, D.I., Lukyanchuk, O.R., Bletskan, O.D.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118015
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures / D.I. Bletskan, O.R. Lukyanchuk, O.D. Bletskan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 189-191. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine