Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК под...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Новокшонов, С.Г., Клепикова, А.С., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118101
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine