Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК под...
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118101 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-118101 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1181012017-05-29T03:03:04Z Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ. Експериментально досліджено подовжнє ρxx(B) та холлівське ρxy(B) магнітоопори в режимі цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою і подвійною квантовими ямами в діапазоні магнітних полів В = 0–16 Tл і температур Т = 0,05–70 К, до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато КЕХ та отримано дані про температурну залежність ширини смуги делокалізованих станів поблизу середини підзон Ландау в режимі КЕХ. Temperature and magnetic-field dependences of longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistivities of n-InxGa1−xAs/GaAs nanostructures with single and double quantum wells are investigated in the quantum Hall effect (QHE) regime at B = 0–16 Т and T = = 0.05–70 K, before and after IR illumination. The temperature dependence of the QHE plateau-to-plateau transition width are analyzed and information about temperature dependences of the width of delocalized state stripes in the center of Landau subbands is obtained. 2013 Article Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.–f http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118101 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
spellingShingle |
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла Физика низких температур |
description |
Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и
двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и
после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ
и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ. |
format |
Article |
author |
Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. |
author_facet |
Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. |
author_sort |
Арапов, Ю.Г. |
title |
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
title_short |
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
title_full |
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
title_fullStr |
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
title_full_unstemmed |
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
title_sort |
температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-ingaas/gaas в режиме квантового эффекта холла |
publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
publishDate |
2013 |
topic_facet |
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118101 |
citation_txt |
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова,
Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
series |
Физика низких температур |
work_keys_str_mv |
AT arapovûg temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT gudinasv temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT neverovvn temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT novokšonovsg temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT klepikovaas temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT harusgi temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT šelušininang temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT âkuninmv temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla |
first_indexed |
2023-10-18T20:31:20Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:31:20Z |
_version_ |
1796150420151730176 |