Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК под...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Новокшонов, С.Г., Клепикова, А.С., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118101
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-118101
record_format dspace
spelling irk-123456789-1181012017-05-29T03:03:04Z Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ. Експериментально досліджено подовжнє ρxx(B) та холлівське ρxy(B) магнітоопори в режимі цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою і подвійною квантовими ямами в діапазоні магнітних полів В = 0–16 Tл і температур Т = 0,05–70 К, до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато КЕХ та отримано дані про температурну залежність ширини смуги делокалізованих станів поблизу середини підзон Ландау в режимі КЕХ. Temperature and magnetic-field dependences of longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistivities of n-InxGa1−xAs/GaAs nanostructures with single and double quantum wells are investigated in the quantum Hall effect (QHE) regime at B = 0–16 Т and T = = 0.05–70 K, before and after IR illumination. The temperature dependence of the QHE plateau-to-plateau transition width are analyzed and information about temperature dependences of the width of delocalized state stripes in the center of Landau subbands is obtained. 2013 Article Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.–f http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118101 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
spellingShingle XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Арапов, Ю.Г.
Гудина, С.В.
Неверов, В.Н.
Новокшонов, С.Г.
Клепикова, А.С.
Харус, Г.И.
Шелушинина, Н.Г.
Якунин, М.В.
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
Физика низких температур
description Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ.
format Article
author Арапов, Ю.Г.
Гудина, С.В.
Неверов, В.Н.
Новокшонов, С.Г.
Клепикова, А.С.
Харус, Г.И.
Шелушинина, Н.Г.
Якунин, М.В.
author_facet Арапов, Ю.Г.
Гудина, С.В.
Неверов, В.Н.
Новокшонов, С.Г.
Клепикова, А.С.
Харус, Г.И.
Шелушинина, Н.Г.
Якунин, М.В.
author_sort Арапов, Ю.Г.
title Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_short Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_full Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_fullStr Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_full_unstemmed Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_sort температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-ingaas/gaas в режиме квантового эффекта холла
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2013
topic_facet XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118101
citation_txt Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT arapovûg temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla
AT gudinasv temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla
AT neverovvn temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla
AT novokšonovsg temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla
AT klepikovaas temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla
AT harusgi temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla
AT šelušininang temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla
AT âkuninmv temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla
first_indexed 2023-10-18T20:31:20Z
last_indexed 2023-10-18T20:31:20Z
_version_ 1796150420151730176