RHEED digital image analysis system for in-situ growth rate and alloy composition measurements of GaAs-based nanostructures
Monitoring the intensity of the reflected spot in a RHEED image is the most important method used to control the growth of semiconductors in MBE. The accurate control of both layer thickness and alloy composition is particularly important for the growth of high quality heterostructures. Indeed, unde...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118164 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | RHEED digital image analysis system for in-situ growth rate and alloy composition measurements of GaAs-based nanostructures / H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 147-153. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!