Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type

The influence of γ-irradiation (⁶⁰Co) (within the dose range 1×10⁶ ≤ D ≤ 8×10⁷ R) on the concentration and mobility of major carriers in germanium and silicon has been investigated. In the oxygen-containing samples of n − AsGe and n − PSi , and in the compensated crystals of n −Si , the mobility...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автор: Gaidar, G.P.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118240
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type / G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 26-31. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine