Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
The photosensitive In₂O₃-p-InSe heterostructures, in which the In₂O₃ frontal layer has a nanostructured surface, have been investigated. The photoresponse spectra of these heterostructures have been found as essentially dependent on surface topology of oxide. The obtained results indicate that In...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118313 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide / V.M. Katerynchuk, Z.R. Kudrynskyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 214-217. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |