Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
We present results of investigations of the effect caused by weak magnetic field (B = 60 mT) in porous InP crystals of impurity-defect composition. This effect was found when studying the spectra of radiative recombination within the range 0.6 to 2.0 µm at 77 K. It was obtained that field influen...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118402 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP / V.V. Milenin, R.A. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 330-333. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |