Visualization of submicron Si-rods by SPR-enhanced total internal reflection microscopy
The potential of surface plasmon resonance-enhanced total internal reflection microscopy for visualization of submicron particles has been demonstrated using submicron-sized silicon rods as a test object. Submicron Si-rods were deposited onto the surface of a plasmon-supporting gold film by sedim...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118417 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Visualization of submicron Si-rods by SPR-enhanced total internal reflection microscopy / O.V. Rengevych, G.V. Beketov, Yu.V. Ushenin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 368-373. — Бібліогр.: 31 назв. — англ. |