Hydrogen plasma treatment of silicon thin-film structures and nanostructured layers
The review concentrates on the analysis of the RF hydrogen plasma effect on thin-film metal-dioxide-silicon and silicon-dioxide silicon structures which are a modern basis of micro- and nanoelectronics. The especial attention is paid to athermic mechanisms of transformation of defects in dioxi...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118855 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Hydrogen plasma treatment of silicon thin-film structures and nanostructured layers / A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, T.M. Nazarova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 2. — С. 101-123. — Бібліогр.: 143 назв. — англ. |