The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers
The adsorboelectric effect arising in multilayered semiconductor structures based on the porous Si with catalytically active Pd electrodes due to action of low concentrations of hydrogen containing gases (Н₂, H₂S) at the room temperature is studied. The kinetic dependences of the change in output...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119080 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers / V.S. Solntsev, T.I. Gorbanyuk, V.G. Litovchenko, A.A. Evtukh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 381-384. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |