Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers

The paper presents an analysis of impact of charge carriers transport mechanisms on the thermoelectric properties of Si-Ge submicron whiskers. Based on the resistance temperature dependences the value of activation energy for conduction submicron designs was estimated and compared with the ones for...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Druzhinin, A.A., Dolgolenko, A.P., Ostrovskii, I.P., Khoverko, Yu.N., Nichkalo, S.I., Kogut, Iu.R.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2014
Назва видання:Functional Materials
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119084
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers / A.A.Druzhinin, A.P.Dolgolenko, I.P.Ostrovskii, Yu.N.Khoverko, S.I.Nichkalo, Iu.R.Kogut // Functional Materials. — 2015. — Т. 22, № 1. — С. 27-33. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine