Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
The paper presents an analysis of impact of charge carriers transport mechanisms on the thermoelectric properties of Si-Ge submicron whiskers. Based on the resistance temperature dependences the value of activation energy for conduction submicron designs was estimated and compared with the ones for...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2014
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119084 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers / A.A.Druzhinin, A.P.Dolgolenko, I.P.Ostrovskii, Yu.N.Khoverko, S.I.Nichkalo, Iu.R.Kogut // Functional Materials. — 2015. — Т. 22, № 1. — С. 27-33. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |