Peculiarities and asymmetry of polarization reversal in Pt/PZT-film/Pt:Ti/SiO₂/Si-substrate structures in pyroelectric response investigations
By RF magnetron sputtering method the Pt/PZT-film/Pt:Ti-sublayer/SiO₂/Si-substrate structures were prepared and pyroelectric response amplitude and phase behaviour under external voltage application was investigated by photopyroelectric modulation method. The results of investigation of pyroelectri...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119121 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Peculiarities and asymmetry of polarization reversal in Pt/PZT-film/Pt:Ti/SiO₂/Si-substrate structures in pyroelectric response investigations / S.L. Bravina, E. Cattan, N.V. Morozovsky, D. Remiens // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 263-271. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |