Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
Photosensitive heterojunctions were created by the method of optical contact of layered semiconductor InSe to CuInSe₂ plates. Due to high quality of contacting surfaces, a strong and enough perfect electrical junction is formed. To understand processes occurring in such heterojunctions, the measurem...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119215 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact / Z.D. Kovalyuk, O.M. Sydor, V.V. Netyaga // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 360-362. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |