Refractory contact to a-SiC produced by laser technology methods
Developed in the paper are method and technological scheme to obtain ohmic contacts (OC) to a-SiC(:N), Nd - Na ~1 - 3.10¹⁸ cm⁻³ by pulse laser deposition (PLD) of multilayer structures Ni/W/Si₃N₄/W and the following laser annealing (LA). When using an YAG:Nd³⁺ laser, threshold levels and optimal reg...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119279 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Refractory contact to a-SiC produced by laser technology methods / L.L. Fedorenko, V.S. Kiseleov, S.V. Svechnikov, M.M. Yusupov, G.V. Beketov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 192-195. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |