Degenerate four-wave mixing in n-Ge due to intervalley redistribution of hot electrons

We have studied backward degenerate four-wave mixing at CO₂ laser wavelengths in n-type Ge. Phase conjugation due to redistribution of free electrons between equivalent valleys was observed. The effect is related to carrier heating by infrared radiation.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автори: Vasetskii, V.M., Poroshin, V.N., Ignatenko, V.A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119317
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Degenerate four-wave mixing in n-Ge due to intervalley redistribution of hot electrons / V.M. Vasetskii, V.N. Poroshin, V.A. Ignatenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 260-263. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine