Noise spectra and dark current investigations in n⁺-p-type Hg₁₋xCdxTe (x ≈ 0.22) photodiodes
The dark current and noise spectra were investigated in Hg₁₋xCdxTe (x≅0.22) photodiodes at zero and low reverse bias voltages. The photodiodes were prepared by boron implantation into LPE films. The 1/f noise is proved to be correlated with tunneling current via the deep defect states in the gap at...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119879 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Noise spectra and dark current investigations in n⁺-p-type Hg₁₋xCdxTe (x ≈ 0.22) photodiodes / Z.F. Ivasiv, F.F. Sizov, V.V. Tetyorkin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 3. — С. 21-25. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |