Development and optical characteristics of the macroporous silicon structures
The promising material for the 2D photonic structure formation for infrared spectrum range is macroporous silicon. There was investigated the electrochemical process of the cylindrical pore formation on n-Si plates for linear change of applied voltage. The experimental dependences of the regimes of...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120231 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Development and optical characteristics of the macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva , O.A. Lytvynenko, O.J. Stronska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 22-25. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |